75

STW21NM60ND, МОП-транзистор, N Канал, 17 А, 600 В, 0.17 Ом

Поставка электронных компонентов в Новосибирск

600,00 руб.

x 600,00 = 600,00
Сроки поставки выбранного компонента в Новосибирск уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней600,00руб.558,00руб.540,00руб.528,00руб.510,00руб.480,00руб.468,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней1.128,00руб.1.038,00руб.1.020,00руб.996,00руб.960,00руб.906,00руб.882,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней1.146,00руб.1.056,00руб.1.032,00руб.1.008,00руб.960,00руб.912,00руб.894,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней720,00руб.660,00руб.648,00руб.630,00руб.612,00руб.576,00руб.558,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней1.044,00руб.960,00руб.936,00руб.918,00руб.888,00руб.834,00руб.810,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней654,00руб.606,00руб.588,00руб.576,00руб.558,00руб.522,00руб.510,00руб.

Характеристики

STW21NM60ND, МОП-транзистор, N Канал, 17 А, 600 В, 0.17 Ом The STW21NM60ND is a FDmesh™ II N-channel Power MOSFET features low input capacitance and gate charge. This FDmesh™ II Power MOSFET with intrinsic fast-recovery body diode are produced using the second generation of MDmesh™ technology. Utilizing a new strip-layout vertical structure, this revolutionary device features extremely low ON-resistance and superior switching performance. It is ideal for bridge topologies and ZVS phase-shift converters.

• Worldwide best RDS (ON) area amongst the fast recovery diode devices
• 100% avalanche tested
• Extremely high dV/dt and avalanche capabilities

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C

Количество Выводов

3вывод(-ов)

Стандарт Корпуса Транзистора

to-247

Рассеиваемая Мощность

140Вт

Полярность Транзистора

N Канал

Напряжение Истока-стока Vds

600в

Непрерывный Ток Стока

17А