STP45N65M5, МОП-транзистор, N Канал, 35 А, 650 В, 0.067 Ом

Поставка электронных компонентов в Новосибирск

530,00 руб.

Артикул: 1133210 Категории: Транзисторы, Электронные компоненты активные

Сроки поставки выбранного компонента в Новосибирск уточняйте у нашего менеджера

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №1	10-12 дней	530,00руб.	492,90руб.	477,00руб.	466,40руб.	450,50руб.	424,00руб.	413,40руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №2	5-7 дней	996,40руб.	916,90руб.	901,00руб.	879,80руб.	848,00руб.	800,30руб.	779,10руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №3	5-7 дней	1.012,30руб.	932,80руб.	911,60руб.	890,40руб.	848,00руб.	805,60руб.	789,70руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №4	10 дней	636,00руб.	583,00руб.	572,40руб.	556,50руб.	540,60руб.	508,80руб.	492,90руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №5	7 дней	922,20руб.	848,00руб.	826,80руб.	810,90руб.	784,40руб.	736,70руб.	715,50руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №6	10-12 дней	577,70руб.	535,30руб.	519,40руб.	508,80руб.	492,90руб.	461,10руб.	450,50руб.

Характеристики
Дополнительная информация

Характеристики

STP45N65M5, МОП-транзистор, N Канал, 35 А, 650 В, 0.067 Ом The STP45N65M5 is a 650V N-channel MDmesh™ V Power MOSFET based on an innovative proprietary vertical process technology, which is combined with well-known PowerMESH™ horizontal layout structure. The MOSFET has extremely low on resistance, which is unmatched among silicon based Power MOSFETs, making it especially suitable for applications which require superior power density and outstanding efficiency. Improved gate charge and lower power dissipation to meet today’s challenging efficiency requirements.

• Worldwide best RDS (on)
• Higher VDSS rating and high dv/dt capability
• Excellent switching performance
• 100% Avalanche tested

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура	150 C
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора	to-220
Рассеиваемая Мощность	210Вт
Полярность Транзистора	N Канал
Напряжение Истока-стока Vds	650В
Непрерывный Ток Стока	35А