Заполнитель

STP38N65M5, МОП-транзистор, N Канал, 30 А, 650 В, 0.073 Ом

Поставка электронных компонентов в Новосибирск

510,00 руб.

x 510,00 = 510,00
Артикул: 1133208 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Новосибирск уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней510,00руб.474,30руб.459,00руб.448,80руб.433,50руб.408,00руб.397,80руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней958,80руб.882,30руб.867,00руб.846,60руб.816,00руб.770,10руб.749,70руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней974,10руб.897,60руб.877,20руб.856,80руб.816,00руб.775,20руб.759,90руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней612,00руб.561,00руб.550,80руб.535,50руб.520,20руб.489,60руб.474,30руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней887,40руб.816,00руб.795,60руб.780,30руб.754,80руб.708,90руб.688,50руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней555,90руб.515,10руб.499,80руб.489,60руб.474,30руб.443,70руб.433,50руб.

Характеристики

STP38N65M5, МОП-транзистор, N Канал, 30 А, 650 В, 0.073 Ом N-channel MDmesh™ M5 Series, STMicroelectronics
The MDmesh M5 power MOSFETs are optimised for high-power PFC and PWM topologies. Main features include a low on-state losses per silicon area combined with low gate charge. They are designed for energy-conscious, compact and reliable hard switching applications, such as solar power converters, power supplies for consumer products and electronic lighting controls.Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C
Количество Выводов

3вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора

TO-220AB
Рассеиваемая Мощность

190Вт
Полярность Транзистора

N Канал
Напряжение Истока-стока Vds

650В
Непрерывный Ток Стока

30а