Заполнитель

STGF10NB60SD, БТИЗ транзистор, 20 А, 1.8 В, 25 Вт, 600 В

Поставка электронных компонентов в Новосибирск

320,00 руб.

x 320,00 = 320,00
Артикул: 1136289 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Новосибирск уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней320,00руб.297,60руб.288,00руб.281,60руб.272,00руб.256,00руб.249,60руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней601,60руб.553,60руб.544,00руб.531,20руб.512,00руб.483,20руб.470,40руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней611,20руб.563,20руб.550,40руб.537,60руб.512,00руб.486,40руб.476,80руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней384,00руб.352,00руб.345,60руб.336,00руб.326,40руб.307,20руб.297,60руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней556,80руб.512,00руб.499,20руб.489,60руб.473,60руб.444,80руб.432,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней348,80руб.323,20руб.313,60руб.307,20руб.297,60руб.278,40руб.272,00руб.

Характеристики

STGF10NB60SD, БТИЗ транзистор, 20 А, 1.8 В, 25 Вт, 600 В The STGF10NB60SD is a low drop IGBT with soft and fast recovery diode. This IGBT utilizes the advanced Power MESH™ process featuring extremely low ON-state voltage drop in low-frequency working conditions (up to 1kHz). It is suitable for light dimmer and static relays.

• Low on-voltage drop (VCE(sat))
• High current capability
• Very soft ultrafast recovery anti-parallel diode

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыБТИЗ Одиночные

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C
Количество Выводов

3вывод(-ов)
Напряжение Коллектор-Эмиттер

600в
Стандарт Корпуса Транзистора

to-220fp
Рассеиваемая Мощность

25Вт
DC Ток Коллектора

20А