26

STF28NM50N, МОП-транзистор, N Канал, 21 А, 500 В, 0.135 Ом

Поставка электронных компонентов в Новосибирск

550,00 руб.

x 550,00 = 550,00
Артикул: 1135628 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Новосибирск уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней550,00руб.511,50руб.495,00руб.484,00руб.467,50руб.440,00руб.429,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней1.034,00руб.951,50руб.935,00руб.913,00руб.880,00руб.830,50руб.808,50руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней1.050,50руб.968,00руб.946,00руб.924,00руб.880,00руб.836,00руб.819,50руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней660,00руб.605,00руб.594,00руб.577,50руб.561,00руб.528,00руб.511,50руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней957,00руб.880,00руб.858,00руб.841,50руб.814,00руб.764,50руб.742,50руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней599,50руб.555,50руб.539,00руб.528,00руб.511,50руб.478,50руб.467,50руб.

Характеристики

STF28NM50N, МОП-транзистор, N Канал, 21 А, 500 В, 0.135 Ом The STF28NM50N is a MDmesh™ II N-channel Power MOSFET developed using the second generation of MDmesh™ technology. The device associates a vertical structure with strip layout yield to lowest ON-resistance and gate charge. It is suitable for the most demanding high efficiency converters.

• 100% Avalanche tested
• Low input capacitance and gate charge
• Low gate input resistance

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C
Количество Выводов

3вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора

to-220fp
Рассеиваемая Мощность

35Вт
Полярность Транзистора

N Канал
Напряжение Истока-стока Vds

500в
Непрерывный Ток Стока

21А