24

Силовой модуль GD15PJK120L1S

Поставка электронных компонентов в Новосибирск

8.400,00 руб.

x 8.400,00 = 8.400,00
Артикул: 1121490 Категория:
Сроки поставки выбранного компонента в Новосибирск уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №110-12 дней8.400,00руб.7.812,00руб.7.392,00руб.7.140,00руб.6.888,00руб.6.762,00руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №27-10 дней9.492,00руб.8.568,00руб.8.400,00руб.8.064,00руб.7.812,00руб.7.644,00руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №37-10 дней10.248,00руб.9.240,00руб.8.988,00руб.8.736,00руб.8.232,00руб.7.728,00руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №47-10 дней9.996,00руб.8.988,00руб.8.820,00руб.8.484,00руб.8.148,00руб.7.686,00руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №55 дней14.280,00руб.12.852,00руб.12.600,00руб.12.096,00руб.11.676,00руб.10.668,00руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №66 дней14.196,00руб.12.768,00руб.12.499,20руб.12.012,00руб.11.592,00руб.10.584,00руб.

Характеристики

GD15PJK120L1S оригинальный IGBT/DC-DC изоляционный силовой модуль/электронный компонент
GD15PJK120L1S IGBT Module
DIODE-rectifier TC=25℃ unless otherwise noted
Maximum Rated Values
Symbol Description GD15PJK120L1S Units
VRRM Collector-Emitter Voltage @ Tj=25℃ 1600 V
IF(AV) Average On-state Current @ TC=100℃ 12 A
I RMSM
Maximum RMS Current at Rectifier Output
@ TC=80℃ 25 A
IFSM Surge Forward Current VR=0V,tp=10ms,Tj=45℃ 150 A

t-value,VR=0V,tp=10ms,Tj=150℃ 250 A2

Characteristics Values
Symbol Parameter Test Conditions Min. Typ. Max. Units
Tj=25℃ 1.11
VF
Diode Forward
Voltage
IF=7A
Tj=150℃ 1.01
V
IR Reverse Current Tj=150℃,VR=1600V 0.7 mA