1925

SIA456DJ-T1-GE3, МОП-транзистор, типа TrenchFET, N Канал

Поставка электронных компонентов в Новосибирск

80,00 руб.

x 80,00 = 80,00
Сроки поставки выбранного компонента в Новосибирск уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней80,00руб.74,40руб.72,00руб.70,40руб.65,60руб.64,00руб.62,40руб.57,60руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней144,80руб.132,80руб.130,40руб.127,20руб.118,40руб.116,00руб.112,80руб.101,60руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней187,20руб.172,80руб.168,80руб.164,80руб.153,60руб.149,60руб.146,40руб.131,20руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней96,00руб.88,00руб.86,40руб.84,00руб.78,40руб.76,80руб.74,40руб.67,20руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней184,80руб.170,40руб.166,40руб.162,40руб.157,60руб.152,00руб.144,00руб.129,60руб.

Характеристики

SIA456DJ-T1-GE3, МОП-транзистор, типа TrenchFET, N Канал Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C

Количество Выводов

6вывод(-ов)

Стандарт Корпуса Транзистора

sc-70

Рассеиваемая Мощность

19Вт

Полярность Транзистора

N Канал

Напряжение Истока-стока Vds

200В

Непрерывный Ток Стока

2.6А