SI7115DN-T1-GE3, МОП-транзистор, P Канал, -8.9 А, -150 В

Поставка электронных компонентов в Новосибирск

210,00 руб.

Артикул: 1135392 Категории: Транзисторы, Электронные компоненты активные

Сроки поставки выбранного компонента в Новосибирск уточняйте у нашего менеджера

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №1	10-12 дней	210,00руб.	195,30руб.	189,00руб.	184,80руб.	178,50руб.	168,00руб.	163,80руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №2	5-7 дней	394,80руб.	363,30руб.	357,00руб.	348,60руб.	336,00руб.	317,10руб.	308,70руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №3	5-7 дней	401,10руб.	369,60руб.	361,20руб.	352,80руб.	336,00руб.	319,20руб.	312,90руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №4	10 дней	252,00руб.	231,00руб.	226,80руб.	220,50руб.	214,20руб.	201,60руб.	195,30руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №5	7 дней	365,40руб.	336,00руб.	327,60руб.	321,30руб.	310,80руб.	291,90руб.	283,50руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №6	10-12 дней	228,90руб.	212,10руб.	205,80руб.	201,60руб.	195,30руб.	182,70руб.	178,50руб.

Характеристики
Дополнительная информация

Характеристики

SI7115DN-T1-GE3, МОП-транзистор, P Канал, -8.9 А, -150 В The SI7115DN-T1-GE3 is a 150VDS TrenchFET® P-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for active clamp in intermediate DC-to-DC power supplies and H-bridge high side switch applications.

• Low thermal resistance PowerPAK® package with small size and low 1mm profile
• 100% Rg tested
• 100% UIS tested
• Halogen-free
• -50 to 150 C Operating temperature range

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура	150 C
Количество Выводов	8вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора	PowerPAK 1212
Рассеиваемая Мощность	52Вт
Полярность Транзистора	P Канал
Напряжение Истока-стока Vds	-150В
Непрерывный Ток Стока	-8.9А