SI4102DY-T1-GE3, МОП-транзистор, N Канал, 3.8 А, 100 В

Поставка электронных компонентов в Новосибирск

55,00 руб.

Артикул: 1135369 Категории: Транзисторы, Электронные компоненты активные

Сроки поставки выбранного компонента в Новосибирск уточняйте у нашего менеджера

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №1	10-12 дней	55,00руб.	51,15руб.	49,50руб.	48,40руб.	45,10руб.	44,00руб.	42,90руб.	39,60руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №2	5-7 дней	99,55руб.	91,30руб.	89,65руб.	87,45руб.	81,40руб.	79,75руб.	77,55руб.	69,85руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №3	5 дней	128,70руб.	118,80руб.	116,05руб.	113,30руб.	105,60руб.	102,85руб.	100,65руб.	90,20руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №4	7-10 дней	66,00руб.	60,50руб.	59,40руб.	57,75руб.	53,90руб.	52,80руб.	51,15руб.	46,20руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №5	5 дней	127,05руб.	117,15руб.	114,40руб.	111,65руб.	108,35руб.	104,50руб.	99,00руб.	89,10руб.

Характеристики
Дополнительная информация

Характеристики

SI4102DY-T1-GE3, МОП-транзистор, N Канал, 3.8 А, 100 В The SI4102DY-T1-GE3 is a 100VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for high frequency boost converter and LED backlight for LCD TV applications.

• 100% UIS tested
• Halogen-free
• -55 to 150 C Operating temperature range

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура	150 C
Количество Выводов	8вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора	SOIC
Рассеиваемая Мощность	4.8Вт
Полярность Транзистора	N Канал
Напряжение Истока-стока Vds	100В
Непрерывный Ток Стока	3.8А