NGTB10N60R2DT4G, БТИЗ транзистор, 20 А, 1.7 В, 72 Вт, 600 В

Поставка электронных компонентов в Новосибирск

150,00 руб.

Артикул: 1136223 Категории: Транзисторы, Электронные компоненты активные

Сроки поставки выбранного компонента в Новосибирск уточняйте у нашего менеджера

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №1	10-12 дней	150,00руб.	139,50руб.	135,00руб.	132,00руб.	127,50руб.	120,00руб.	117,00руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №2	5-7 дней	282,00руб.	259,50руб.	255,00руб.	249,00руб.	240,00руб.	226,50руб.	220,50руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №3	5-7 дней	286,50руб.	264,00руб.	258,00руб.	252,00руб.	240,00руб.	228,00руб.	223,50руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №4	10 дней	180,00руб.	165,00руб.	162,00руб.	157,50руб.	153,00руб.	144,00руб.	139,50руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №5	7 дней	261,00руб.	240,00руб.	234,00руб.	229,50руб.	222,00руб.	208,50руб.	202,50руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №6	10-12 дней	163,50руб.	151,50руб.	147,00руб.	144,00руб.	139,50руб.	130,50руб.	127,50руб.

Характеристики
Дополнительная информация

Характеристики

NGTB10N60R2DT4G, БТИЗ транзистор, 20 А, 1.7 В, 72 Вт, 600 В The NGTB10N60R2DT4G is a N-channel IGBT for use with general purpose inverter, refrigerator, dehumidifier and clothes washer.

• Safety design
• High efficiency and high reliability
• Reverse conducting II IGBT
• 5µs Short-circuit capability
• 65ns High speed switching
• 90ns Diode reverse recovery time

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыБТИЗ Одиночные

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура	175 C
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Напряжение Коллектор-Эмиттер	600в
Стандарт Корпуса Транзистора	TO-252
Рассеиваемая Мощность	72Вт
DC Ток Коллектора	20А