Транзистор MMBFU310LT1G, ПТ с управляющим p-n-переходом (JFET)

Поставка электронных компонентов в Новосибирск

32,00 руб.

Артикул: 1135850 Категории: Транзисторы, Электронные компоненты активные

Сроки поставки выбранного компонента в Новосибирск уточняйте у нашего менеджера

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №1	10-12 дней	32,00руб.	29,76руб.	28,80руб.	28,16руб.	26,24руб.	25,60руб.	24,96руб.	23,04руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №2	5-7 дней	57,92руб.	53,12руб.	52,16руб.	50,88руб.	47,36руб.	46,40руб.	45,12руб.	40,64руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №3	5 дней	74,88руб.	69,12руб.	67,52руб.	65,92руб.	61,44руб.	59,84руб.	58,56руб.	52,48руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №4	7-10 дней	38,40руб.	35,20руб.	34,56руб.	33,60руб.	31,36руб.	30,72руб.	29,76руб.	26,88руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №5	5 дней	73,92руб.	68,16руб.	66,56руб.	64,96руб.	63,04руб.	60,80руб.	57,60руб.	51,84руб.

Характеристики
Дополнительная информация

Характеристики

MMBFU310LT1G, ПТ с управляющим p-n-переходом (JFET) The MMBFU310LT1G is a N-channel JFET designed for high frequency amplifiers and oscillators. The low RDS (ON) provides higher efficiency and extends battery life. The device is encapsulated in a surface-mount package which saves board space.

• 25V Drain-source voltage
• 25V Gate-source voltage
• 10mA Gate current

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыПолевые Транзисторы с Управляющим P-N-переходом (JFET)

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура	150 C
Количество Выводов	3 Вывода
Стандарт Корпуса Транзистора	sot-23