148

IXYB82N120C3H1, БТИЗ транзистор, 164 А, 2.75 В, 1.04 кВт

Поставка электронных компонентов в Новосибирск

2.030,00 руб.

x 2.030,00 = 2.030,00
Артикул: 1136211 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Новосибирск уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №110-12 дней2.030,00руб.1.887,90руб.1.786,40руб.1.725,50руб.1.664,60руб.1.634,15руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №27-10 дней2.293,90руб.2.070,60руб.2.030,00руб.1.948,80руб.1.887,90руб.1.847,30руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №37-10 дней2.476,60руб.2.233,00руб.2.172,10руб.2.111,20руб.1.989,40руб.1.867,60руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №47-10 дней2.415,70руб.2.172,10руб.2.131,50руб.2.050,30руб.1.969,10руб.1.857,45руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №55 дней3.451,00руб.3.105,90руб.3.045,00руб.2.923,20руб.2.821,70руб.2.578,10руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №66 дней3.430,70руб.3.085,60руб.3.020,64руб.2.902,90руб.2.801,40руб.2.557,80руб.

Характеристики

IXYB82N120C3H1, БТИЗ транзистор, 164 А, 2.75 В, 1.04 кВт IGBT Discretes, IXYS XPT series
The XPT™ range of discrete IGBTs from IXYS feature Extreme-light Punch-Through thin wafer technology, resulting in reduced thermal resistance and lower energy losses. These devices offer fast switching times with low tail current, and are available in a variety of industry standard and proprietary packages.Полупроводники — ДискретныеТранзисторыБТИЗ Одиночные

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C
Количество Выводов

3вывод(-ов)
Напряжение Коллектор-Эмиттер

1.2кВ
Стандарт Корпуса Транзистора

TO-264AA
Рассеиваемая Мощность

1.04кВт
DC Ток Коллектора

164А