IRLR3105PBF, МОП-транзистор, N Канал, 25 А, 55 В, 37 мОм

Поставка электронных компонентов в Новосибирск

84,00 руб.

Артикул: 1134578 Категории: Транзисторы, Электронные компоненты активные

Сроки поставки выбранного компонента в Новосибирск уточняйте у нашего менеджера

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №1	10-12 дней	84,00руб.	78,12руб.	75,60руб.	73,92руб.	68,88руб.	67,20руб.	65,52руб.	60,48руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №2	5-7 дней	152,04руб.	139,44руб.	136,92руб.	133,56руб.	124,32руб.	121,80руб.	118,44руб.	106,68руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №3	5 дней	196,56руб.	181,44руб.	177,24руб.	173,04руб.	161,28руб.	157,08руб.	153,72руб.	137,76руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №4	7-10 дней	100,80руб.	92,40руб.	90,72руб.	88,20руб.	82,32руб.	80,64руб.	78,12руб.	70,56руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №5	5 дней	194,04руб.	178,92руб.	174,72руб.	170,52руб.	165,48руб.	159,60руб.	151,20руб.	136,08руб.

Характеристики
Дополнительная информация

Характеристики

IRLR3105PBF, МОП-транзистор, N Канал, 25 А, 55 В, 37 мОм The IRLR3105PBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low ON-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175 C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating. These features combine to make this design an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications. The package is designed for surface-mounting using vapour phase, infrared or wave soldering techniques. Power dissipation level up to 1.5W is possible in typical surface-mount applications.

• Logic level gate drive
• Advanced process technology
• Repetitive avalanche allowed up to Tjmax
• Dynamic dV/dt rating
• Fully avalanche rating

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура	175 C
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора	TO-252
Рассеиваемая Мощность	57Вт
Полярность Транзистора	N Канал
Напряжение Истока-стока Vds	55В
Непрерывный Ток Стока	25А