16

IRFS3107TRLPBF, МОП-транзистор, N Канал, 195 А, 75 В

Поставка электронных компонентов в Новосибирск

440,00 руб.

x 440,00 = 440,00
Артикул: 1134494 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Новосибирск уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней440,00руб.409,20руб.396,00руб.387,20руб.374,00руб.352,00руб.343,20руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней827,20руб.761,20руб.748,00руб.730,40руб.704,00руб.664,40руб.646,80руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней840,40руб.774,40руб.756,80руб.739,20руб.704,00руб.668,80руб.655,60руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней528,00руб.484,00руб.475,20руб.462,00руб.448,80руб.422,40руб.409,20руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней765,60руб.704,00руб.686,40руб.673,20руб.651,20руб.611,60руб.594,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней479,60руб.444,40руб.431,20руб.422,40руб.409,20руб.382,80руб.374,00руб.

Характеристики

IRFS3107TRLPBF, МОП-транзистор, N Канал, 195 А, 75 В N-Channel Power MOSFET 60V to 80V, Infineon
The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

175 C
Количество Выводов

3вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора

TO-263AB
Рассеиваемая Мощность

370Вт
Полярность Транзистора

N Канал
Напряжение Истока-стока Vds

75в
Непрерывный Ток Стока

195А