IRFR3518PBF, МОП-транзистор, N Канал, 38 А, 80 В, 29 мОм

Поставка электронных компонентов в Новосибирск

130,00 руб.

Артикул: 1134458 Категории: Транзисторы, Электронные компоненты активные

Сроки поставки выбранного компонента в Новосибирск уточняйте у нашего менеджера

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №1	10-12 дней	130,00руб.	120,90руб.	117,00руб.	114,40руб.	110,50руб.	104,00руб.	101,40руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №2	5-7 дней	244,40руб.	224,90руб.	221,00руб.	215,80руб.	208,00руб.	196,30руб.	191,10руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №3	5-7 дней	248,30руб.	228,80руб.	223,60руб.	218,40руб.	208,00руб.	197,60руб.	193,70руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №4	10 дней	156,00руб.	143,00руб.	140,40руб.	136,50руб.	132,60руб.	124,80руб.	120,90руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №5	7 дней	226,20руб.	208,00руб.	202,80руб.	198,90руб.	192,40руб.	180,70руб.	175,50руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №6	10-12 дней	141,70руб.	131,30руб.	127,40руб.	124,80руб.	120,90руб.	113,10руб.	110,50руб.

Характеристики
Дополнительная информация

Характеристики

IRFR3518PBF, МОП-транзистор, N Канал, 38 А, 80 В, 29 мОм The IRFR3518PBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET offers low gate-to-drain charge to reduce switching losses. It is suitable for high frequency DC-to-DC converters.

• Fully characterized capacitance including effective COSS to simplify design
• Fully characterized avalanche voltage and current
• Dynamic dV/dt rating
• Fast switching
• Fully avalanche rating

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура	175 C
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора	TO-252
Рассеиваемая Мощность	110Вт
Полярность Транзистора	N Канал
Напряжение Истока-стока Vds	80В
Непрерывный Ток Стока	38А