Заполнитель

IRFB42N20DPBF, МОП-транзистор, N Канал, 42.6 А, 200 В

Поставка электронных компонентов в Новосибирск

300,00 руб.

x 300,00 = 300,00
Сроки поставки выбранного компонента в Новосибирск уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней300,00руб.279,00руб.270,00руб.264,00руб.255,00руб.240,00руб.234,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней564,00руб.519,00руб.510,00руб.498,00руб.480,00руб.453,00руб.441,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней573,00руб.528,00руб.516,00руб.504,00руб.480,00руб.456,00руб.447,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней360,00руб.330,00руб.324,00руб.315,00руб.306,00руб.288,00руб.279,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней522,00руб.480,00руб.468,00руб.459,00руб.444,00руб.417,00руб.405,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней327,00руб.303,00руб.294,00руб.288,00руб.279,00руб.261,00руб.255,00руб.

Характеристики

IRFB42N20DPBF, МОП-транзистор, N Канал, 42.6 А, 200 В The IRFB42N20DPBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET offers low gate-to-drain charge to reduce switching losses. It is suitable for high frequency DC-to-DC converters.

• Fully characterized capacitance including effective COSS to simplify design
• Fully characterized avalanche voltage and current

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

175 C

Количество Выводов

3вывод(-ов)

Стандарт Корпуса Транзистора

TO-220AB

Рассеиваемая Мощность

300Вт

Полярность Транзистора

N Канал

Напряжение Истока-стока Vds

200В

Непрерывный Ток Стока

42.6А