Заполнитель

IRF9540NLPBF, МОП-транзистор, P Канал, 23 А, -100 В

Поставка электронных компонентов в Новосибирск

160,00 руб.

x 160,00 = 160,00
Артикул: 1134373 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Новосибирск уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней160,00руб.148,80руб.144,00руб.140,80руб.136,00руб.128,00руб.124,80руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней300,80руб.276,80руб.272,00руб.265,60руб.256,00руб.241,60руб.235,20руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней305,60руб.281,60руб.275,20руб.268,80руб.256,00руб.243,20руб.238,40руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней192,00руб.176,00руб.172,80руб.168,00руб.163,20руб.153,60руб.148,80руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней278,40руб.256,00руб.249,60руб.244,80руб.236,80руб.222,40руб.216,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней174,40руб.161,60руб.156,80руб.153,60руб.148,80руб.139,20руб.136,00руб.

Характеристики

IRF9540NLPBF, МОП-транзистор, P Канал, 23 А, -100 В The IRF9540NLPBF is a HEXFET® single P-channel Power MOSFET offers fast switching speed and improved repetitive avalanche rating. These features combine to make this design an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of other applications.

• Advanced process technology
• Ultra-low ON-resistance
• Fast switching
• Low static drain-to-source ON-resistance
• Dynamic dV/dt rating
• Fully avalanche rating

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C
Количество Выводов

3вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора

TO-262
Рассеиваемая Мощность

3.1Вт
Полярность Транзистора

P Канал
Напряжение Истока-стока Vds

-100В
Непрерывный Ток Стока

23А