Заполнитель

IRF9393TRPBF, МОП-транзистор, P Канал, -9.2 А, -30 В

Поставка электронных компонентов в Новосибирск

51,00 руб.

x 51,00 = 51,00
Артикул: 1134367 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Новосибирск уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней51,00руб.47,43руб.45,90руб.44,88руб.41,82руб.40,80руб.39,78руб.36,72руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней92,31руб.84,66руб.83,13руб.81,09руб.75,48руб.73,95руб.71,91руб.64,77руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней119,34руб.110,16руб.107,61руб.105,06руб.97,92руб.95,37руб.93,33руб.83,64руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней61,20руб.56,10руб.55,08руб.53,55руб.49,98руб.48,96руб.47,43руб.42,84руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней117,81руб.108,63руб.106,08руб.103,53руб.100,47руб.96,90руб.91,80руб.82,62руб.

Характеристики

IRF9393TRPBF, МОП-транзистор, P Канал, -9.2 А, -30 В P-Channel Power MOSFET 30V, Infineon
Infineon’s range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes P-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C
Количество Выводов

8вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора

SOIC
Рассеиваемая Мощность

2.5Вт
Полярность Транзистора

P Канал
Напряжение Истока-стока Vds

-30В
Непрерывный Ток Стока

-9.2А