IRF740LCPBF, МОП-транзистор, N Канал, 10 А, 400 В, 550 мОм

Поставка электронных компонентов в Новосибирск

180,00 руб.

Артикул: 1134317 Категории: Транзисторы, Электронные компоненты активные

Сроки поставки выбранного компонента в Новосибирск уточняйте у нашего менеджера

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №1	10-12 дней	180,00руб.	167,40руб.	162,00руб.	158,40руб.	153,00руб.	144,00руб.	140,40руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №2	5-7 дней	338,40руб.	311,40руб.	306,00руб.	298,80руб.	288,00руб.	271,80руб.	264,60руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №3	5-7 дней	343,80руб.	316,80руб.	309,60руб.	302,40руб.	288,00руб.	273,60руб.	268,20руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №4	10 дней	216,00руб.	198,00руб.	194,40руб.	189,00руб.	183,60руб.	172,80руб.	167,40руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №5	7 дней	313,20руб.	288,00руб.	280,80руб.	275,40руб.	266,40руб.	250,20руб.	243,00руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №6	10-12 дней	196,20руб.	181,80руб.	176,40руб.	172,80руб.	167,40руб.	156,60руб.	153,00руб.

Характеристики
Дополнительная информация

Характеристики

IRF740LCPBF, МОП-транзистор, N Канал, 10 А, 400 В, 550 мОм The IRF740LCPBF is a N-channel enhancement-mode Power MOSFET with ultra-low gate charge. This new low charge Power device achieves significantly lower gate charge over conventional MOSFETs. Utilizing the new LCDMOS technology, allowing for reduced gate drive requirements and total system savings. In addition, reduced switching losses and improved efficiency are achievable in a variety of high frequency applications. Frequencies of a few MHz at high current are possible using the new low charge MOSFETs. This device improvements combined with the proven ruggedness and reliability that are characteristic of Power MOSFET offers the designer a new standard in power transistors for switching applications.

• Repetitive avalanche rated
• Reduced gate drive requirement
• 30V Enhanced VGS Rating
• Reduced CISS, COSS, CRSS
• Extremely high frequency operation

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура	150 C
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора	TO-220AB
Рассеиваемая Мощность	125Вт
Полярность Транзистора	N Канал
Напряжение Истока-стока Vds	400В
Непрерывный Ток Стока	10а