IRF60DM206, МОП-транзистор, StrongIRFET™, N Канал, 130 А

Поставка электронных компонентов в Новосибирск

310,00 руб.

Артикул: 1134276 Категории: Транзисторы, Электронные компоненты активные

Сроки поставки выбранного компонента в Новосибирск уточняйте у нашего менеджера

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №1	10-12 дней	310,00руб.	288,30руб.	279,00руб.	272,80руб.	263,50руб.	248,00руб.	241,80руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №2	5-7 дней	582,80руб.	536,30руб.	527,00руб.	514,60руб.	496,00руб.	468,10руб.	455,70руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №3	5-7 дней	592,10руб.	545,60руб.	533,20руб.	520,80руб.	496,00руб.	471,20руб.	461,90руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №4	10 дней	372,00руб.	341,00руб.	334,80руб.	325,50руб.	316,20руб.	297,60руб.	288,30руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №5	7 дней	539,40руб.	496,00руб.	483,60руб.	474,30руб.	458,80руб.	430,90руб.	418,50руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №6	10-12 дней	337,90руб.	313,10руб.	303,80руб.	297,60руб.	288,30руб.	269,70руб.	263,50руб.

Характеристики
Дополнительная информация

Характеристики

IRF60DM206, МОП-транзистор, StrongIRFET™, N Канал, 130 А StrongIRFET™ Power MOSFET, Infineon
Infineon’s StrongIRFET family is optimized for low R DS (on) and high-current capability. This portfolio offers improved gate, avalanche and dynamic dv/dt ruggedness ideal for industrial low frequency applications including motor drives, power tools, inverters and battery management where performance and robustness are essential.Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура	150 C
Количество Выводов	8вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора	DirectFET ME
Рассеиваемая Мощность	96Вт
Полярность Транзистора	N Канал
Напряжение Истока-стока Vds	60В
Непрерывный Ток Стока	130А