Заполнитель

IRF2204SPBF, МОП-транзистор, N Канал, 170 А, 40 В, 3.6 мОм

Поставка электронных компонентов в Новосибирск

280,00 руб.

x 280,00 = 280,00
Артикул: 1134254 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Новосибирск уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней280,00руб.260,40руб.252,00руб.246,40руб.238,00руб.224,00руб.218,40руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней526,40руб.484,40руб.476,00руб.464,80руб.448,00руб.422,80руб.411,60руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней534,80руб.492,80руб.481,60руб.470,40руб.448,00руб.425,60руб.417,20руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней336,00руб.308,00руб.302,40руб.294,00руб.285,60руб.268,80руб.260,40руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней487,20руб.448,00руб.436,80руб.428,40руб.414,40руб.389,20руб.378,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней305,20руб.282,80руб.274,40руб.268,80руб.260,40руб.243,60руб.238,00руб.

Характеристики

IRF2204SPBF, МОП-транзистор, N Канал, 170 А, 40 В, 3.6 мОм The IRF2204SPBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low ON-resistance per silicon area. Additional features of this HEXFET® power MOSFET are a 175 C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating. These benefits combine to make this design an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.

• Advanced process technology
• Dynamic dV/dt rating
• Repetitive avalanche allowed up to Tjmax

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

175 C
Количество Выводов

3вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора

TO-263
Рассеиваемая Мощность

200Вт
Полярность Транзистора

N Канал
Напряжение Истока-стока Vds

40В
Непрерывный Ток Стока

170А