7454f2f5390577948b2bbab1f01abe5f

IKZ50N65ES5XKSA1, БТИЗ транзистор, 80 А, 1.35 В, 274 Вт

Поставка электронных компонентов в Новосибирск

710,00 руб.

x 710,00 = 710,00
Сроки поставки выбранного компонента в Новосибирск уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней710,00руб.660,30руб.639,00руб.624,80руб.603,50руб.568,00руб.553,80руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней1.334,80руб.1.228,30руб.1.207,00руб.1.178,60руб.1.136,00руб.1.072,10руб.1.043,70руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней1.356,10руб.1.249,60руб.1.221,20руб.1.192,80руб.1.136,00руб.1.079,20руб.1.057,90руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней852,00руб.781,00руб.766,80руб.745,50руб.724,20руб.681,60руб.660,30руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней1.235,40руб.1.136,00руб.1.107,60руб.1.086,30руб.1.050,80руб.986,90руб.958,50руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней773,90руб.717,10руб.695,80руб.681,60руб.660,30руб.617,70руб.603,50руб.

Характеристики

IKZ50N65ES5XKSA1, БТИЗ транзистор, 80 А, 1.35 В, 274 Вт The IKZ50N65ES5XKSA1 from Infineon is a TRENCHSTOP ™ 5S soft switching IGBT in 4 pin TO-247 package. TRENCHSTOP ™ 5 high speed soft switching IGBT copacked with full current rated RAPID 1 fast and soft antiparallel diode. The TRENCHSTOP™ 5S family is the new IGBT family addressing applications switching between 10KHz and 40KHz to deliver high efficiency, faster time to market cycles, circuit design complexity reduction. The TO-247 4 pin provides ultra-low inductance to the gate-emitter control loop and brings TRENCHSTOP™ 5 IGBT to the next level of best in class switching performance. The standard TO-247 package body has been taken and an extra, 4th pin, has been added to enable the Kelvin emitter configuration. The 4 pin TO-247 features over 20% total switching loses reduction compared to standard TO-247-3 and improves system efficiency or power density. It is typically used in industrial UPS, industrial SMPS, energy storage, charger and welding.

• High speed smooth switching device for hard and soft switching
• Plug and play replacement of previous generation IGBTs
• Low gate charge QG, very low control inductance loop
• 650V breakdown voltage, IC collector current 50A
• Very low VCEsat of 1.35V at Tvj = 25 C
• 4V gate-emitter threshold voltage at IC = 0.50mA, VCE = VGE
• Maximum junction temperature 175 C

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыБТИЗ Одиночные

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

175 C

Количество Выводов

4вывод(-ов)

Напряжение Коллектор-Эмиттер

650В

Стандарт Корпуса Транзистора

to-247

Рассеиваемая Мощность

274Вт

DC Ток Коллектора

80А