Заполнитель

IKW75N60TFKSA1, БТИЗ транзистор, универсальный, 80 А, 2 В

Поставка электронных компонентов в Новосибирск

870,00 руб.

x 870,00 = 870,00
Сроки поставки выбранного компонента в Новосибирск уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней870,00руб.809,10руб.783,00руб.765,60руб.739,50руб.696,00руб.678,60руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней1.635,60руб.1.505,10руб.1.479,00руб.1.444,20руб.1.392,00руб.1.313,70руб.1.278,90руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней1.661,70руб.1.531,20руб.1.496,40руб.1.461,60руб.1.392,00руб.1.322,40руб.1.296,30руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней1.044,00руб.957,00руб.939,60руб.913,50руб.887,40руб.835,20руб.809,10руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней1.513,80руб.1.392,00руб.1.357,20руб.1.331,10руб.1.287,60руб.1.209,30руб.1.174,50руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней948,30руб.878,70руб.852,60руб.835,20руб.809,10руб.756,90руб.739,50руб.

Характеристики

IKW75N60TFKSA1, БТИЗ транзистор, универсальный, 80 А, 2 В The IKW75N60T is a 600V Discrete IGBT with very soft, fast recovery anti-parallel emitter controlled diode. TRENCHSTOP™ IGBT technology leads to significant improvement of static as well as dynamic performance of the device due to combination of trench top-cell and filed stop concept. Combination of IGBT with soft recovery emitter controlled diode further minimizes the turn-on losses. The highest efficiency is reached due to the best compromise between switching and conduction losses. Discrete IGBT is ideal for hard switching applications as well as soft switching applications and other resonant applications.

• Lowest Vce (sat) drop for lower conduction losses
• Low switching losses
• Easy to parallel switching capability due to positive temperature coefficient in Vce (sat)
• High ruggedness, temperature stable behaviour
• Low EMI emissions
• Low gate charge
• Very tight parameter distribution
• Highest efficiency
• Low conduction and switching losses

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыБТИЗ Одиночные

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

175 C

Количество Выводов

3вывод(-ов)

Напряжение Коллектор-Эмиттер

600в

Стандарт Корпуса Транзистора

to-247

Рассеиваемая Мощность

428Вт

DC Ток Коллектора

80А