FDB8880, МОП-транзистор, N Канал, 54 А, 30 В, 9.5 мОм, 10 В

Поставка электронных компонентов в Новосибирск

45,00 руб.

Артикул: 1133857 Категории: Транзисторы, Электронные компоненты активные

Сроки поставки выбранного компонента в Новосибирск уточняйте у нашего менеджера

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №1	10-12 дней	45,00руб.	41,85руб.	40,50руб.	39,60руб.	36,90руб.	36,00руб.	35,10руб.	32,40руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №2	5-7 дней	81,45руб.	74,70руб.	73,35руб.	71,55руб.	66,60руб.	65,25руб.	63,45руб.	57,15руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №3	5 дней	105,30руб.	97,20руб.	94,95руб.	92,70руб.	86,40руб.	84,15руб.	82,35руб.	73,80руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №4	7-10 дней	54,00руб.	49,50руб.	48,60руб.	47,25руб.	44,10руб.	43,20руб.	41,85руб.	37,80руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №5	5 дней	103,95руб.	95,85руб.	93,60руб.	91,35руб.	88,65руб.	85,50руб.	81,00руб.	72,90руб.

Характеристики
Дополнительная информация

Характеристики

FDB8880, МОП-транзистор, N Канал, 54 А, 30 В, 9.5 мОм, 10 В The FDB8880 is a PowerTrench® N-channel MOSFET designed specifically to improve the overall efficiency of DC-to-DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for low gate charge, low RDS (ON) and fast-switching speed.

• High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
• Low gate charge
• High power and current handling capability

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура	175 C
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора	TO-263
Рассеиваемая Мощность	55Вт
Полярность Транзистора	N Канал
Напряжение Истока-стока Vds	30В
Непрерывный Ток Стока	54А