16

FDB8832, МОП-транзистор, N Канал, 34 А, 30 В, 1.5 мОм, 20 В

Поставка электронных компонентов в Новосибирск

320,00 руб.

x 320,00 = 320,00
Сроки поставки выбранного компонента в Новосибирск уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней320,00руб.297,60руб.288,00руб.281,60руб.272,00руб.256,00руб.249,60руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней601,60руб.553,60руб.544,00руб.531,20руб.512,00руб.483,20руб.470,40руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней611,20руб.563,20руб.550,40руб.537,60руб.512,00руб.486,40руб.476,80руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней384,00руб.352,00руб.345,60руб.336,00руб.326,40руб.307,20руб.297,60руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней556,80руб.512,00руб.499,20руб.489,60руб.473,60руб.444,80руб.432,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней348,80руб.323,20руб.313,60руб.307,20руб.297,60руб.278,40руб.272,00руб.

Характеристики

FDB8832, МОП-транзистор, N Канал, 34 А, 30 В, 1.5 мОм, 20 В The FDB8832 is a logic level N-channel MOSFET produced using Fairchild Semiconductor’s PowerTrench® process. It is suitable for use in starter/alternator systems, electronic power steering systems and DC-to-DC converters.

• Low miller charge
• Low Qrr body diode
• UIS Capability (single pulse and repetitive pulse)

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

175 C

Количество Выводов

2вывод(-ов)

Стандарт Корпуса Транзистора

TO-263

Рассеиваемая Мощность

300Вт

Полярность Транзистора

N Канал

Напряжение Истока-стока Vds

30В

Непрерывный Ток Стока

34А