FDB8832, МОП-транзистор, N Канал, 34 А, 30 В, 1.5 мОм, 20 В

Поставка электронных компонентов в Новосибирск

320,00 руб.

Артикул: 1133856 Категории: Транзисторы, Электронные компоненты активные

Сроки поставки выбранного компонента в Новосибирск уточняйте у нашего менеджера

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №1	10-12 дней	320,00руб.	297,60руб.	288,00руб.	281,60руб.	272,00руб.	256,00руб.	249,60руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №2	5-7 дней	601,60руб.	553,60руб.	544,00руб.	531,20руб.	512,00руб.	483,20руб.	470,40руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №3	5-7 дней	611,20руб.	563,20руб.	550,40руб.	537,60руб.	512,00руб.	486,40руб.	476,80руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №4	10 дней	384,00руб.	352,00руб.	345,60руб.	336,00руб.	326,40руб.	307,20руб.	297,60руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №5	7 дней	556,80руб.	512,00руб.	499,20руб.	489,60руб.	473,60руб.	444,80руб.	432,00руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №6	10-12 дней	348,80руб.	323,20руб.	313,60руб.	307,20руб.	297,60руб.	278,40руб.	272,00руб.

Характеристики
Дополнительная информация

Характеристики

FDB8832, МОП-транзистор, N Канал, 34 А, 30 В, 1.5 мОм, 20 В The FDB8832 is a logic level N-channel MOSFET produced using Fairchild Semiconductor’s PowerTrench® process. It is suitable for use in starter/alternator systems, electronic power steering systems and DC-to-DC converters.

• Low miller charge
• Low Qrr body diode
• UIS Capability (single pulse and repetitive pulse)

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура	175 C
Количество Выводов	2вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора	TO-263
Рассеиваемая Мощность	300Вт
Полярность Транзистора	N Канал
Напряжение Истока-стока Vds	30В
Непрерывный Ток Стока	34А