1324d60acd0e672adc1764536a055003

FDB2710, МОП-транзистор, N Канал, 50 А, 250 В, 0.0363 Ом

Поставка электронных компонентов в Новосибирск

540,00 руб.

x 540,00 = 540,00
Артикул: 1133850 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Новосибирск уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней540,00руб.502,20руб.486,00руб.475,20руб.459,00руб.432,00руб.421,20руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней1.015,20руб.934,20руб.918,00руб.896,40руб.864,00руб.815,40руб.793,80руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней1.031,40руб.950,40руб.928,80руб.907,20руб.864,00руб.820,80руб.804,60руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней648,00руб.594,00руб.583,20руб.567,00руб.550,80руб.518,40руб.502,20руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней939,60руб.864,00руб.842,40руб.826,20руб.799,20руб.750,60руб.729,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней588,60руб.545,40руб.529,20руб.518,40руб.502,20руб.469,80руб.459,00руб.

Характеристики

FDB2710, МОП-транзистор, N Канал, 50 А, 250 В, 0.0363 Ом The FDB2710 is a N-channel MOSFET produced using Fairchild Semiconductor’s PowerTrench® process. It has been tailored to minimize the ON-state resistance while maintaining superior switching performance. It is suitable for use in synchronous rectification and battery protection circuit.

• High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
• Low gate charge
• High power and current handing capability

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C
Количество Выводов

2вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора

TO-263AB
Рассеиваемая Мощность

260Вт
Полярность Транзистора

N Канал
Напряжение Истока-стока Vds

250в
Непрерывный Ток Стока

50А