69

CSD17483F4T, МОП-транзистор, N Канал, 1.5 А, 30 В, 0.185 Ом

Поставка электронных компонентов в Новосибирск

36,00 руб.

x 36,00 = 36,00
Артикул: 1133731 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Новосибирск уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней36,00руб.33,48руб.32,40руб.31,68руб.29,52руб.28,80руб.28,08руб.25,92руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней65,16руб.59,76руб.58,68руб.57,24руб.53,28руб.52,20руб.50,76руб.45,72руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней84,24руб.77,76руб.75,96руб.74,16руб.69,12руб.67,32руб.65,88руб.59,04руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней43,20руб.39,60руб.38,88руб.37,80руб.35,28руб.34,56руб.33,48руб.30,24руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней83,16руб.76,68руб.74,88руб.73,08руб.70,92руб.68,40руб.64,80руб.58,32руб.

Характеристики

CSD17483F4T, МОП-транзистор, N Канал, 1.5 А, 30 В, 0.185 Ом The CSD17483F4T is a FemtoFET™ N-channel MOSFET designed and optimized to minimize the footprint in many handheld and mobile applications. This technology is capable of replacing standard small signal MOSFETs while providing at least a 60% reduction in footprint size.

• Low ON-resistance
• Ultra-low Qg and Qgd
• Ultra-small footprint
• Low profile
• Integrated ESD protection diode
• Halogen-free
• -55 to 150 C Operating junction temperature range

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C
Количество Выводов

3вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора

LGA
Рассеиваемая Мощность

500мВт
Полярность Транзистора

N Канал
Напряжение Истока-стока Vds

30В
Непрерывный Ток Стока

1.5А