2011403144

BSM75GB120DN2, Биполярный транзистор IGBT, 625Вт

Поставка электронных компонентов в Новосибирск

8.133,83 руб.

x 8.133,83 = 8.133,83
Артикул: 1065065 Категория:
Сроки поставки выбранного компонента в Новосибирск уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №110-12 дней8.133,83руб.7.564,46руб.7.157,77руб.6.913,76руб.6.669,74руб.6.547,73руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №27-10 дней9.191,23руб.8.296,51руб.8.133,83руб.7.808,48руб.7.564,46руб.7.401,79руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №37-10 дней9.923,27руб.8.947,21руб.8.703,20руб.8.459,18руб.7.971,15руб.7.483,12руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №47-10 дней9.679,26руб.8.703,20руб.8.540,52руб.8.215,17руб.7.889,82руб.7.442,45руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №55 дней13.827,51руб.12.444,76руб.12.200,75руб.11.712,72руб.11.306,02руб.10.329,96руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №66 дней13.746,17руб.12.363,42руб.12.103,14руб.11.631,38руб.11.224,69руб.10.248,63руб.

Характеристики

BSM75GB120DN2, Биполярный транзистор IGBT, 625Вт

Дополнительная информация

Бренд

Infineon
Макс.напр.к-э,В

—
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В

—
Номинальный ток одиночного тр-ра,А

—
Структура модуля

—
Тип силового модуля

—
Максимальная частота модуляции,кГц

—
Входная емкость затвора,нФ

—
Мощность привода, кВт

—
Драйвер управления

—
Защита по току

—
Защита от короткого замыкания

—
Защита от перегрева

—
Защита от пониженного напряжения питания

—
Максимальная рассеиваимая мощность,Вт

—
Максимальный ток эмиттера, А

—
Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В

—
Напряжение эмиттер-коллектор,В

—
Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс

—
Напряжение изоляции, В

—
Температурный диапазон,С

—