72a361d5ca2f82945ccf058dcc43262b

AUIRLL024NTR, МОП-транзистор, N Канал, 3.1 А, 55 В

Поставка электронных компонентов в Новосибирск

100,00 руб.

x 100,00 = 100,00
Артикул: 1133426 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Новосибирск уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней100,00руб.93,00руб.90,00руб.88,00руб.85,00руб.80,00руб.78,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней188,00руб.173,00руб.170,00руб.166,00руб.160,00руб.151,00руб.147,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней191,00руб.176,00руб.172,00руб.168,00руб.160,00руб.152,00руб.149,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней120,00руб.110,00руб.108,00руб.105,00руб.102,00руб.96,00руб.93,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней174,00руб.160,00руб.156,00руб.153,00руб.148,00руб.139,00руб.135,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней109,00руб.101,00руб.98,00руб.96,00руб.93,00руб.87,00руб.85,00руб.

Характеристики

AUIRLL024NTR, МОП-транзистор, N Канал, 3.1 А, 55 В The AUIRLL024NTR is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve low ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device design, provides an extremely efficient and reliable operation. It is suitable for port injection.

• Advanced planar technology
• Logic level gate drive
• Dynamic dV/dt rating
• Fully avalanche rating
• Repetitive avalanche allowed up to Tjmax

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C
Количество Выводов

4вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора

SOT-223
Рассеиваемая Мощность

1Вт
Полярность Транзистора

N Канал
Напряжение Истока-стока Vds

55В
Непрерывный Ток Стока

3.1А