IRGIB15B60KD1P, БТИЗ транзистор, 19 А, 2.2 В, 52 Вт, 600 В

Поставка электронных компонентов в Новосибирск

520,00 руб.

Артикул: 1136190 Категории: Транзисторы, Электронные компоненты активные

Сроки поставки выбранного компонента в Новосибирск уточняйте у нашего менеджера

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №1	10-12 дней	520,00руб.	483,60руб.	468,00руб.	457,60руб.	442,00руб.	416,00руб.	405,60руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №2	5-7 дней	977,60руб.	899,60руб.	884,00руб.	863,20руб.	832,00руб.	785,20руб.	764,40руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №3	5-7 дней	993,20руб.	915,20руб.	894,40руб.	873,60руб.	832,00руб.	790,40руб.	774,80руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №4	10 дней	624,00руб.	572,00руб.	561,60руб.	546,00руб.	530,40руб.	499,20руб.	483,60руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №5	7 дней	904,80руб.	832,00руб.	811,20руб.	795,60руб.	769,60руб.	722,80руб.	702,00руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №6	10-12 дней	566,80руб.	525,20руб.	509,60руб.	499,20руб.	483,60руб.	452,40руб.	442,00руб.

Характеристики
Дополнительная информация

Характеристики

IRGIB15B60KD1P, БТИЗ транзистор, 19 А, 2.2 В, 52 Вт, 600 В Single IGBT up to 20A, Infineon
Optimised IGBTs designed for medium frequency applications with fast response which provide the user with the highest efficiency available. These devices utilise FRED diodes optimised to provide the best performance with IGBTsПолупроводники — ДискретныеТранзисторыБТИЗ Одиночные

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура	175 C
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Напряжение Коллектор-Эмиттер	600в
Стандарт Корпуса Транзистора	to-220fp
Рассеиваемая Мощность	52Вт
DC Ток Коллектора	19А