47

IRGB4620DPBF, БТИЗ транзистор, 32 А, 1.55 В, 140 Вт, 600 В

Поставка электронных компонентов в Новосибирск

370,00 руб.

x 370,00 = 370,00
Артикул: 1136187 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Новосибирск уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней370,00руб.344,10руб.333,00руб.325,60руб.314,50руб.296,00руб.288,60руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней695,60руб.640,10руб.629,00руб.614,20руб.592,00руб.558,70руб.543,90руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней706,70руб.651,20руб.636,40руб.621,60руб.592,00руб.562,40руб.551,30руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней444,00руб.407,00руб.399,60руб.388,50руб.377,40руб.355,20руб.344,10руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней643,80руб.592,00руб.577,20руб.566,10руб.547,60руб.514,30руб.499,50руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней403,30руб.373,70руб.362,60руб.355,20руб.344,10руб.321,90руб.314,50руб.

Характеристики

IRGB4620DPBF, БТИЗ транзистор, 32 А, 1.55 В, 140 Вт, 600 В The IRGB4620DPBF is an Insulated Gate Bipolar Transistor with ultrafast soft recovery diode. It features high efficiency in a wide range of applications and switching frequencies, improved reliability due to rugged hard switching performance and higher power capability.

• Low VCE (ON) and switch losses
• Square RBSOA
• Positive VCE (ON) temperature coefficient
• Excellent current sharing in parallel operation
• Enables short-circuit protection scheme
• Environmentally-friendly
• 5µs Short-circuit SOA

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыБТИЗ Одиночные

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

175 C
Количество Выводов

3вывод(-ов)
Напряжение Коллектор-Эмиттер

600в
Стандарт Корпуса Транзистора

TO-220AB
Рассеиваемая Мощность

140Вт
DC Ток Коллектора

32А