47

IRG4IBC20KDPBF, БТИЗ транзистор, N-канальный, 11.5 А

Поставка электронных компонентов в Новосибирск

350,00 руб.

x 350,00 = 350,00
Сроки поставки выбранного компонента в Новосибирск уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней350,00руб.325,50руб.315,00руб.308,00руб.297,50руб.280,00руб.273,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней658,00руб.605,50руб.595,00руб.581,00руб.560,00руб.528,50руб.514,50руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней668,50руб.616,00руб.602,00руб.588,00руб.560,00руб.532,00руб.521,50руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней420,00руб.385,00руб.378,00руб.367,50руб.357,00руб.336,00руб.325,50руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней609,00руб.560,00руб.546,00руб.535,50руб.518,00руб.486,50руб.472,50руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней381,50руб.353,50руб.343,00руб.336,00руб.325,50руб.304,50руб.297,50руб.

Характеристики

IRG4IBC20KDPBF, БТИЗ транзистор, N-канальный, 11.5 А Co-Pack IGBT up to 20A, Infineon
Isolated Gate Bipolar Transistors (IGBT) from Infineon provide the iser with a comprehensive range of options to ensure your appplication is covered. High effiency ratings enable this range of IGBTs to be used in a wide variety of applications and can support various switching frequencies thanks to low switching losses.Полупроводники — ДискретныеТранзисторыБТИЗ Одиночные

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C

Количество Выводов

3вывод(-ов)

Напряжение Коллектор-Эмиттер

600в

Стандарт Корпуса Транзистора

to-220fp

Рассеиваемая Мощность

34Вт

DC Ток Коллектора

11.5А