61

STU85N3LH5, МОП-транзистор, N Канал, 40 А, 30 В, 4.6 мОм

Поставка электронных компонентов в Новосибирск

90,00 руб.

x 90,00 = 90,00
Артикул: 1135665 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Новосибирск уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней90,00руб.83,70руб.81,00руб.79,20руб.73,80руб.72,00руб.70,20руб.64,80руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней162,90руб.149,40руб.146,70руб.143,10руб.133,20руб.130,50руб.126,90руб.114,30руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней210,60руб.194,40руб.189,90руб.185,40руб.172,80руб.168,30руб.164,70руб.147,60руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней108,00руб.99,00руб.97,20руб.94,50руб.88,20руб.86,40руб.83,70руб.75,60руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней207,90руб.191,70руб.187,20руб.182,70руб.177,30руб.171,00руб.162,00руб.145,80руб.

Характеристики

STU85N3LH5, МОП-транзистор, N Канал, 40 А, 30 В, 4.6 мОм The STU85N3LH5 is a 30V N-channel STripFET™ V Power MOSFET suitable for the most demanding DC-DC converter applications, where high power density is to be achieved. The MOSFET utilizes the 5th generation of design rules of proprietary STripFET™ technology. Improved gate charge and lower power dissipation to meet today’s challenging efficiency requirements.

• RDS (ON) Qg industry benchmark
• Extremely low on-resistance RDS (on)
• High avalanche ruggedness
• Low gate drive power losses

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

175 C
Количество Выводов

3вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора

TO-251AA
Рассеиваемая Мощность

70Вт
Полярность Транзистора

N Канал
Напряжение Истока-стока Vds

30В
Непрерывный Ток Стока

40А