607

SIHP18N50C-E3, МОП-транзистор, N Канал, 18 А, 500 В

Поставка электронных компонентов в Новосибирск

89,00 руб.

x 89,00 = 89,00
Артикул: 1135439 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Новосибирск уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней89,00руб.82,77руб.80,10руб.78,32руб.72,98руб.71,20руб.69,42руб.64,08руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней161,09руб.147,74руб.145,07руб.141,51руб.131,72руб.129,05руб.125,49руб.113,03руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней208,26руб.192,24руб.187,79руб.183,34руб.170,88руб.166,43руб.162,87руб.145,96руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней106,80руб.97,90руб.96,12руб.93,45руб.87,22руб.85,44руб.82,77руб.74,76руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней205,59руб.189,57руб.185,12руб.180,67руб.175,33руб.169,10руб.160,20руб.144,18руб.

Характеристики

SIHP18N50C-E3, МОП-транзистор, N Канал, 18 А, 500 В The SIHP18N50C-E3 is a 500VDS N-channel enhancement-mode Power MOSFET with antiparallel diode.

• Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg
• 100% Avalanche tested
• High peak current capability
• dV/dt Ruggedness
• Improved trr/Qrr
• Improved gate charge
• High power dissipations capability

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C
Количество Выводов

3вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора

to-220
Рассеиваемая Мощность

223Вт
Полярность Транзистора

N Канал
Напряжение Истока-стока Vds

500в
Непрерывный Ток Стока

18А