SI8406DB-T2-E1, МОП-транзистор, N Канал, 16 А, 20 В

Поставка электронных компонентов в Новосибирск

30,00 руб.

Артикул: 1135416 Категории: Транзисторы, Электронные компоненты активные

Сроки поставки выбранного компонента в Новосибирск уточняйте у нашего менеджера

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №1	10-12 дней	30,00руб.	27,90руб.	27,00руб.	26,40руб.	24,60руб.	24,00руб.	23,40руб.	21,60руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №2	5-7 дней	54,30руб.	49,80руб.	48,90руб.	47,70руб.	44,40руб.	43,50руб.	42,30руб.	38,10руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №3	5 дней	70,20руб.	64,80руб.	63,30руб.	61,80руб.	57,60руб.	56,10руб.	54,90руб.	49,20руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №4	7-10 дней	36,00руб.	33,00руб.	32,40руб.	31,50руб.	29,40руб.	28,80руб.	27,90руб.	25,20руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №5	5 дней	69,30руб.	63,90руб.	62,40руб.	60,90руб.	59,10руб.	57,00руб.	54,00руб.	48,60руб.

Характеристики
Дополнительная информация

Характеристики

SI8406DB-T2-E1, МОП-транзистор, N Канал, 16 А, 20 В The SI8406DB-T2-E1 is a 20VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for load switch, battery management and boost converter applications.

• 1.5 x 1mm Maximum ultra-small outline
• 0.59mm Maximum ultra-thin height

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура	150 C
Количество Выводов	6вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора	MICRO FOOT
Рассеиваемая Мощность	13Вт
Полярность Транзистора	N Канал
Напряжение Истока-стока Vds	20В
Непрерывный Ток Стока	16А