SI4410DYTRPBF, МОП-транзистор, N Канал, 10 А, 30 В, 0.01 Ом

Поставка электронных компонентов в Новосибирск

76,00 руб.

Артикул: 1135374 Категории: Транзисторы, Электронные компоненты активные

Сроки поставки выбранного компонента в Новосибирск уточняйте у нашего менеджера

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №1	10-12 дней	76,00руб.	70,68руб.	68,40руб.	66,88руб.	62,32руб.	60,80руб.	59,28руб.	54,72руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №2	5-7 дней	137,56руб.	126,16руб.	123,88руб.	120,84руб.	112,48руб.	110,20руб.	107,16руб.	96,52руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №3	5 дней	177,84руб.	164,16руб.	160,36руб.	156,56руб.	145,92руб.	142,12руб.	139,08руб.	124,64руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №4	7-10 дней	91,20руб.	83,60руб.	82,08руб.	79,80руб.	74,48руб.	72,96руб.	70,68руб.	63,84руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №5	5 дней	175,56руб.	161,88руб.	158,08руб.	154,28руб.	149,72руб.	144,40руб.	136,80руб.	123,12руб.

Характеристики
Дополнительная информация

Характеристики

SI4410DYTRPBF, МОП-транзистор, N Канал, 10 А, 30 В, 0.01 Ом The SI4410DYTRPBF is a 30V single N-channel HEXFET® Power MOSFET with extremely low on-resistance per silicon area and fast switching performance using advanced planar technology.

• Low gate charge
• Logic level drive
• Low conduction losses
• Low switch losses

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура	150 C
Количество Выводов	8вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора	SOIC
Рассеиваемая Мощность	2.5Вт
Полярность Транзистора	N Канал
Напряжение Истока-стока Vds	30В
Непрерывный Ток Стока	10а