SI2306BDS-T1-E3, МОП-транзистор, N Канал, 4 А, 30 В

Поставка электронных компонентов в Новосибирск

51,00 руб.

Артикул: 1135338 Категории: Транзисторы, Электронные компоненты активные

Сроки поставки выбранного компонента в Новосибирск уточняйте у нашего менеджера

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №1	10-12 дней	51,00руб.	47,43руб.	45,90руб.	44,88руб.	41,82руб.	40,80руб.	39,78руб.	36,72руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №2	5-7 дней	92,31руб.	84,66руб.	83,13руб.	81,09руб.	75,48руб.	73,95руб.	71,91руб.	64,77руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №3	5 дней	119,34руб.	110,16руб.	107,61руб.	105,06руб.	97,92руб.	95,37руб.	93,33руб.	83,64руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №4	7-10 дней	61,20руб.	56,10руб.	55,08руб.	53,55руб.	49,98руб.	48,96руб.	47,43руб.	42,84руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №5	5 дней	117,81руб.	108,63руб.	106,08руб.	103,53руб.	100,47руб.	96,90руб.	91,80руб.	82,62руб.

Характеристики
Дополнительная информация

Характеристики

SI2306BDS-T1-E3, МОП-транзистор, N Канал, 4 А, 30 В The SI2306BDS-T1-E3 is a 30VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET with antiparallel diode.

• 100% Rg tested
• -55 to 150 C Operating temperature range

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура	150 C
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора	TO-236
Рассеиваемая Мощность	1.25Вт
Полярность Транзистора	N Канал
Напряжение Истока-стока Vds	30В
Непрерывный Ток Стока	4А