1925

SI1021R-T1-GE3, МОП-транзистор, P Канал, -190 мА, -60 В

Поставка электронных компонентов в Новосибирск

46,00 руб.

x 46,00 = 46,00
Артикул: 1135324 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Новосибирск уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней46,00руб.42,78руб.41,40руб.40,48руб.37,72руб.36,80руб.35,88руб.33,12руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней83,26руб.76,36руб.74,98руб.73,14руб.68,08руб.66,70руб.64,86руб.58,42руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней107,64руб.99,36руб.97,06руб.94,76руб.88,32руб.86,02руб.84,18руб.75,44руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней55,20руб.50,60руб.49,68руб.48,30руб.45,08руб.44,16руб.42,78руб.38,64руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней106,26руб.97,98руб.95,68руб.93,38руб.90,62руб.87,40руб.82,80руб.74,52руб.

Характеристики

SI1021R-T1-GE3, МОП-транзистор, P Канал, -190 мА, -60 В The SI1021R-T1-GE3 is a 60VDS TrenchFET® P-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for relays, solenoids, lamps, hammers, displays and memories drivers.

• 2000V Gate-source ESD protected
• High-side switching
• Low ON-resistance
• Low threshold
• 20 ns Fast switching speed
• 20 pF Low input capacitance
• Miniature package
• Halogen-free
• Ease in driving switches
• Low offset voltage
• Low-voltage operation
• High-speed circuits
• Easily driven without buffer
• Small board area

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C
Количество Выводов

3вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора

SOT-416
Рассеиваемая Мощность

250мВт
Полярность Транзистора

P Канал
Напряжение Истока-стока Vds

-60В
Непрерывный Ток Стока

-190мА