Заполнитель

IXFN180N15P, МОП-транзистор, N Канал, 150 А, 150 В, 11 мОм

Поставка электронных компонентов в Новосибирск

1.940,00 руб.

x 1.940,00 = 1.940,00
Артикул: 1134633 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Новосибирск уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №110-12 дней1.940,00руб.1.804,20руб.1.707,20руб.1.649,00руб.1.590,80руб.1.561,70руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №27-10 дней2.192,20руб.1.978,80руб.1.940,00руб.1.862,40руб.1.804,20руб.1.765,40руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №37-10 дней2.366,80руб.2.134,00руб.2.075,80руб.2.017,60руб.1.901,20руб.1.784,80руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №47-10 дней2.308,60руб.2.075,80руб.2.037,00руб.1.959,40руб.1.881,80руб.1.775,10руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №55 дней3.298,00руб.2.968,20руб.2.910,00руб.2.793,60руб.2.696,60руб.2.463,80руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №66 дней3.278,60руб.2.948,80руб.2.886,72руб.2.774,20руб.2.677,20руб.2.444,40руб.

Характеристики

IXFN180N15P, МОП-транзистор, N Канал, 150 А, 150 В, 11 мОм The IXFN180N15P is a 150V N-channel Enhancement Mode PolarHV™ Power MOSFET with fast intrinsic diode (HiPerFET™). The IXYS most popular power MOSFET (HiPerFET™) is for both hard switching and resonant mode applications. This MOSFET offers low gate charge and excellent ruggedness with a fast intrinsic diode.

• Encapsulating epoxy meets UL94V-0 flammability
• miniBLOC with aluminium nitride isolation
• Fast recovery diode
• Unclamped Inductive Switching (UIS) rated
• Low inductance offers easy to drive and protect
• High power density
• Easy to mount
• Space-saving s

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

175 C
Количество Выводов

4вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора

isotop
Рассеиваемая Мощность

680Вт
Полярность Транзистора

N Канал
Напряжение Истока-стока Vds

150В
Непрерывный Ток Стока

150а