2fe2adecfd420dfde590496a3ad4794a

IXFH75N10, МОП-транзистор, N Канал, 75 А, 100 В, 20 мОм

Поставка электронных компонентов в Новосибирск

1.350,00 руб.

x 1.350,00 = 1.350,00
Артикул: 1134618 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Новосибирск уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №110-12 дней1.350,00руб.1.255,50руб.1.188,00руб.1.147,50руб.1.107,00руб.1.086,75руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №27-10 дней1.525,50руб.1.377,00руб.1.350,00руб.1.296,00руб.1.255,50руб.1.228,50руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №37-10 дней1.647,00руб.1.485,00руб.1.444,50руб.1.404,00руб.1.323,00руб.1.242,00руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №47-10 дней1.606,50руб.1.444,50руб.1.417,50руб.1.363,50руб.1.309,50руб.1.235,25руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №55 дней2.295,00руб.2.065,50руб.2.025,00руб.1.944,00руб.1.876,50руб.1.714,50руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №66 дней2.281,50руб.2.052,00руб.2.008,80руб.1.930,50руб.1.863,00руб.1.701,00руб.

Характеристики

IXFH75N10, МОП-транзистор, N Канал, 75 А, 100 В, 20 мОм The IXFH75N10 is a single N-channel enhancement-mode Power MOSFET with fast intrinsic diode (HiPerFET™). It features low static drain-to-source ON-resistance HDMOS™ process and high power density.

• International standard packages
• Rugged polysilicon gate cell structure
• Unclamped inductive switching (UIS) rating
• Low package inductance — Easy to drive and to protect
• Easy to mount with 1 screw (isolated mounting screw hole)
• Space saving
• Low trr
• High dV/dt rating

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C
Количество Выводов

3вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора

to-247
Рассеиваемая Мощность

300Вт
Полярность Транзистора

N Канал
Напряжение Истока-стока Vds

100В
Непрерывный Ток Стока

75А