IRF7404TRPBF, МОП-транзистор, P Канал, -6.7 А, -20 В

Поставка электронных компонентов в Новосибирск

77,00 руб.

Артикул: 1134313 Категории: Транзисторы, Электронные компоненты активные

Сроки поставки выбранного компонента в Новосибирск уточняйте у нашего менеджера

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №1	10-12 дней	77,00руб.	71,61руб.	69,30руб.	67,76руб.	63,14руб.	61,60руб.	60,06руб.	55,44руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №2	5-7 дней	139,37руб.	127,82руб.	125,51руб.	122,43руб.	113,96руб.	111,65руб.	108,57руб.	97,79руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №3	5 дней	180,18руб.	166,32руб.	162,47руб.	158,62руб.	147,84руб.	143,99руб.	140,91руб.	126,28руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №4	7-10 дней	92,40руб.	84,70руб.	83,16руб.	80,85руб.	75,46руб.	73,92руб.	71,61руб.	64,68руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №5	5 дней	177,87руб.	164,01руб.	160,16руб.	156,31руб.	151,69руб.	146,30руб.	138,60руб.	124,74руб.

Характеристики
Дополнительная информация

Характеристики

IRF7404TRPBF, МОП-транзистор, P Канал, -6.7 А, -20 В The IRF7404TRPBF is a HEXFET® single P-channel Power MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve the lowest possible ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device design, provides an extremely efficient device for use in a wide variety of applications. It has been modified through a customized lead-frame for enhanced thermal characteristics and dual-die capability making it ideal in a variety of power applications. With these improvements, multiple devices can be used in an application with dramatically reduced board space. The package is designed for vapour phase, infrared or wave soldering techniques. Power dissipation of greater than 0.8W is possible in a typical PCB mount application.

• Generation V technology
• Dynamic dV/dt rating
• Fast switching
• Low static drain-to-source ON-resistance
• Fully avalanche rating

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура	150 C
Количество Выводов	8вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора	SOIC
Рассеиваемая Мощность	2.5Вт
Полярность Транзистора	P Канал
Напряжение Истока-стока Vds	-20В
Непрерывный Ток Стока	-6.7А