IRF4905LPBF, МОП-транзистор, P Канал, 74 А, -55 В, 20 мОм

Поставка электронных компонентов в Новосибирск

230,00 руб.

Артикул: 1134269 Категории: Транзисторы, Электронные компоненты активные

Сроки поставки выбранного компонента в Новосибирск уточняйте у нашего менеджера

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №1	10-12 дней	230,00руб.	213,90руб.	207,00руб.	202,40руб.	195,50руб.	184,00руб.	179,40руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №2	5-7 дней	432,40руб.	397,90руб.	391,00руб.	381,80руб.	368,00руб.	347,30руб.	338,10руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №3	5-7 дней	439,30руб.	404,80руб.	395,60руб.	386,40руб.	368,00руб.	349,60руб.	342,70руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №4	10 дней	276,00руб.	253,00руб.	248,40руб.	241,50руб.	234,60руб.	220,80руб.	213,90руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №5	7 дней	400,20руб.	368,00руб.	358,80руб.	351,90руб.	340,40руб.	319,70руб.	310,50руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №6	10-12 дней	250,70руб.	232,30руб.	225,40руб.	220,80руб.	213,90руб.	200,10руб.	195,50руб.

Характеристики
Дополнительная информация

Характеристики

IRF4905LPBF, МОП-транзистор, P Канал, 74 А, -55 В, 20 мОм The IRF4905LPBF is a -55V single P-channel HEXFET® Power MOSFET, fifth generation HEXFET utilizes advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFET is well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications. The D2Pak is a surface mount power package capable of accommodating die sizes up to HEX-4. It provides the highest power capability and the lowest possible on- resistance in any existing surface mount package. The D2Pak is suitable for high current applications because of its low internal connection resistance and can dissipate up to 2.0W in a typical surface mount application.

• Advanced process technology
• Fully avalanche rated
• 175 C Operating temperature

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура	175 C
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора	TO-262
Рассеиваемая Мощность	200Вт
Полярность Транзистора	P Канал
Напряжение Истока-стока Vds	-55В
Непрерывный Ток Стока	74А