66

FDMC510P, МОП-транзистор, P Канал, -18 А, -20 В, 0.0064 Ом

Поставка электронных компонентов в Новосибирск

120,00 руб.

x 120,00 = 120,00
Артикул: 1133889 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Новосибирск уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней120,00руб.111,60руб.108,00руб.105,60руб.102,00руб.96,00руб.93,60руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней225,60руб.207,60руб.204,00руб.199,20руб.192,00руб.181,20руб.176,40руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней229,20руб.211,20руб.206,40руб.201,60руб.192,00руб.182,40руб.178,80руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней144,00руб.132,00руб.129,60руб.126,00руб.122,40руб.115,20руб.111,60руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней208,80руб.192,00руб.187,20руб.183,60руб.177,60руб.166,80руб.162,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней130,80руб.121,20руб.117,60руб.115,20руб.111,60руб.104,40руб.102,00руб.

Характеристики

FDMC510P, МОП-транзистор, P Канал, -18 А, -20 В, 0.0064 Ом The FDMC510P is a P-channel MOSFET produced using Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench® process. It is suitable for battery management and load switch applications.

• High-performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
• High power and current handling capability in a widely used surface-mount package
• 100% UIL tested
• >2kV Typical HBM ESD protection level

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C
Количество Выводов

8вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора

MLP
Рассеиваемая Мощность

41Вт
Полярность Транзистора

P Канал
Напряжение Истока-стока Vds

-20В
Непрерывный Ток Стока

-18А