16

FDD6N25TM, МОП-транзистор, N Канал, 4.4 А, 250 В, 0.9 Ом

Поставка электронных компонентов в Новосибирск

50,00 руб.

x 50,00 = 50,00
Артикул: 1133875 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Новосибирск уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней50,00руб.46,50руб.45,00руб.44,00руб.41,00руб.40,00руб.39,00руб.36,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней90,50руб.83,00руб.81,50руб.79,50руб.74,00руб.72,50руб.70,50руб.63,50руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней117,00руб.108,00руб.105,50руб.103,00руб.96,00руб.93,50руб.91,50руб.82,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней60,00руб.55,00руб.54,00руб.52,50руб.49,00руб.48,00руб.46,50руб.42,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней115,50руб.106,50руб.104,00руб.101,50руб.98,50руб.95,00руб.90,00руб.81,00руб.

Характеристики

FDD6N25TM, МОП-транзистор, N Канал, 4.4 А, 250 В, 0.9 Ом UniFET™ N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
UniFET™ MOSFET is Fairchild Semiconductor’s high voltage MOSFET family. It has the smallest on-state resistance among the planar MOSFETs, and also provides superior switching performance and higher avalanche energy strength. In addition, the internal gate-source ESD diode allows UniFET-II™ MOSFET to withstand over 2000V HBM surge stress.
UniFET™ MOSFETs are suitable for switching power converter applications, such as power factor correction (PFC), flat panel display (FPD) TV power, ATX (Advanced Technology eXtended) and electronic lamp ballasts.Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C
Количество Выводов

3вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора

TO-252AA
Рассеиваемая Мощность

50Вт
Полярность Транзистора

N Канал
Напряжение Истока-стока Vds

250в
Непрерывный Ток Стока

4.4А