4f5b6ec8426d5c87b78be65ef4ab5fce

Транзистор IRLHS6342TRPBF, MOSFET,N CH,30V,8.7A,PQFN22

Поставка электронных компонентов в Новосибирск

49,00 руб.

x 49,00 = 49,00
Артикул: 1133313 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Новосибирск уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней49,00руб.45,57руб.44,10руб.43,12руб.40,18руб.39,20руб.38,22руб.35,28руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней88,69руб.81,34руб.79,87руб.77,91руб.72,52руб.71,05руб.69,09руб.62,23руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней114,66руб.105,84руб.103,39руб.100,94руб.94,08руб.91,63руб.89,67руб.80,36руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней58,80руб.53,90руб.52,92руб.51,45руб.48,02руб.47,04руб.45,57руб.41,16руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней113,19руб.104,37руб.101,92руб.99,47руб.96,53руб.93,10руб.88,20руб.79,38руб.

Характеристики

IRLHS6342TRPBF, MOSFET,N CH,30V,8.7A,PQFN22N-Channel Power MOSFET 30V, Infineon
The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы