26

STF16N65M5, МОП-транзистор, N Канал, 12 А, 650 В, 0.23 Ом

Поставка электронных компонентов в Новосибирск

440,00 руб.

x 440,00 = 440,00
Артикул: 1133117 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Новосибирск уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней440,00руб.409,20руб.396,00руб.387,20руб.374,00руб.352,00руб.343,20руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней827,20руб.761,20руб.748,00руб.730,40руб.704,00руб.664,40руб.646,80руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней840,40руб.774,40руб.756,80руб.739,20руб.704,00руб.668,80руб.655,60руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней528,00руб.484,00руб.475,20руб.462,00руб.448,80руб.422,40руб.409,20руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней765,60руб.704,00руб.686,40руб.673,20руб.651,20руб.611,60руб.594,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней479,60руб.444,40руб.431,20руб.422,40руб.409,20руб.382,80руб.374,00руб.

Характеристики

STF16N65M5, МОП-транзистор, N Канал, 12 А, 650 В, 0.23 Ом The STF16N65M5 is a MDmesh™ V N-channel Power MOSFET offers excellent switching performance. This Power MOSFET based on an innovative proprietary vertical process technology, which is combined with STMicroelectronics’ well-known PowerMESH™ horizontal layout structure. The resulting product has extremely low ON-resistance, which is unmatched among silicon based Power MOSFET, making it especially suitable for applications which require superior power density and outstanding efficiency.

• Worldwide best RDS (ON)
• Higher VDSS rating
• High dV/dt capability
• Easy to drive
• 100% Avalanche tested

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C
Количество Выводов

3вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора

to-220fp
Рассеиваемая Мощность

90Вт
Полярность Транзистора

N Канал
Напряжение Истока-стока Vds

650В
Непрерывный Ток Стока

12А