FF150R12RT4, 34 mm, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 150 А

11.000,00 руб.

Артикул: 1065439 Категория: Модули

Сроки поставки выбранного компонента в Новосибирск уточняйте у нашего менеджера

Наличие	Срок	1шт	10шт	50шт	100шт	1000шт	3000шт
Склад №1	10-12 дней	11.000,00руб.	10.230,00руб.	9.680,00руб.	9.350,00руб.	9.020,00руб.	8.855,00руб.

Наличие	Срок	1шт	10шт	50шт	100шт	1000шт	3000шт
Склад №2	7-10 дней	12.430,00руб.	11.220,00руб.	11.000,00руб.	10.560,00руб.	10.230,00руб.	10.010,00руб.

Наличие	Срок	1шт	10шт	50шт	100шт	1000шт	3000шт
Склад №3	7-10 дней	13.420,00руб.	12.100,00руб.	11.770,00руб.	11.440,00руб.	10.780,00руб.	10.120,00руб.

Наличие	Срок	1шт	10шт	50шт	100шт	1000шт	3000шт
Склад №4	7-10 дней	13.090,00руб.	11.770,00руб.	11.550,00руб.	11.110,00руб.	10.670,00руб.	10.065,00руб.

Наличие	Срок	1шт	10шт	50шт	100шт	1000шт	3000шт
Склад №5	5 дней	18.700,00руб.	16.830,00руб.	16.500,00руб.	15.840,00руб.	15.290,00руб.	13.970,00руб.

Наличие	Срок	1шт	10шт	50шт	100шт	1000шт	3000шт
Склад №6	6 дней	18.590,00руб.	16.720,00руб.	16.368,00руб.	15.730,00руб.	15.180,00руб.	13.860,00руб.

Характеристики

FF150R12RT4, 34 mm, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 150 А

Бренд	Infineon
Макс.напр.к-э,В	—
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В	—
Номинальный ток одиночного тр-ра,А	—
Структура модуля	—
Тип силового модуля	—
Максимальная частота модуляции,кГц	—
Входная емкость затвора,нФ	—
Мощность привода, кВт	—
Драйвер управления	—
Защита по току	—
Защита от короткого замыкания	—
Защита от перегрева	—
Защита от пониженного напряжения питания	—
Максимальная рассеиваимая мощность,Вт	—
Максимальный ток эмиттера, А	—
Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В	—
Напряжение эмиттер-коллектор,В	—
Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс	—
Напряжение изоляции, В	—
Температурный диапазон,С	—